Framleiðandi Vöru númer:
SIHG018N60E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHG018N60E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 99A (Tc) 524W (Tc) Through Hole TO-247AC
Birgðir:
490 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12917395
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHG018N60E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
99A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
228 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
7612 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
524W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AC
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SIHG018
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
25
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIA811ADJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
SI2392DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
VS-FC80NA20
MOSFET N-CH 200V 108A SOT227
