Framleiðandi Vöru númer:
SI2392DS-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI2392DS-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 3.1A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23
Birgðir:
12917398
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI2392DS-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
126mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
196 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-23
Pakki / hulstur
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grunnvörunúmer
SI2392
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI2392DS-T1-GE3TR
SI2392DS-T1-GE3DKR
SI2392DS-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI2392ADS-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
2773
HLUTARNÁMR
SI2392ADS-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.14
VÖRUVAL
Direct
Partanúmer
FDN8601
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
20024
HLUTARNÁMR
FDN8601-DG
Einingaverð
0.35
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
VS-FC80NA20
MOSFET N-CH 200V 108A SOT227
SIHB35N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK
SI3455ADV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP
