Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Frakkland
Spánn
Tyrkland
Moldóva
Litháen
Noregur
Þýskaland
Portúgal
Slóvakía
LTALY
Finnland
Rússneska
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Serbía
Hvíta Rússland
Holland
Svíþjóð
Svartfjallaland
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Rúmenía
Austurríki
Belgía
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Lýðveldið Kongó
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Angóla
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Argentína
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
SIHF18N50C-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHF18N50C-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 18A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220-3
Birgðir:
RFQ á netinu
12920606
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHF18N50C-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2942 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
38W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SIHF18
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
SIHF18N50C-E3-DG
Gagnaplakks
SIHF18N50C-E3
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STF19NM50N
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
982
HLUTARNÁMR
STF19NM50N-DG
Einingaverð
1.99
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FDPF18N50T
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
1
HLUTARNÁMR
FDPF18N50T-DG
Einingaverð
1.50
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FDPF18N50
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
6866
HLUTARNÁMR
FDPF18N50-DG
Einingaverð
1.25
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
TK19A45D(STA4,Q,M)
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
47
HLUTARNÁMR
TK19A45D(STA4,Q,M)-DG
Einingaverð
1.52
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STF23NM50N
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
STF23NM50N-DG
Einingaverð
2.42
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4447ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
SUD70090E-GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO252
SI2327DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3
SI8465DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT