Framleiðandi Vöru númer:
SI8465DB-T2-E1
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI8465DB-T2-E1-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 2.5A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Birgðir:
90 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12920625
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI8465DB-T2-E1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Cut Tape (CT)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
104mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
450 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
4-Microfoot
Pakki / hulstur
4-XFBGA, CSPBGA
Grunnvörunúmer
SI8465
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI8465DB-T2-E1TR
SI8465DBT2E1
SI8465DB-T2-E1CT
SI8465DB-T2-E1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQ2361ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
VS-FA38SA50LCP
MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
SI8447DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 11A 6MICRO FOOT
