Framleiðandi Vöru númer:
SIHD9N60E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHD9N60E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Birgðir:
12920002
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHD9N60E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
368mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
778 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
78W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SIHD9
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIHD9N60E-GE3CT-DG
SIHD9N60E-GE3TRINACTIVE
SIHD9N60E-GE3DKR
SIHD9N60E-GE3DKR-DG
SIHD9N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHD9N60E-GE3TR
SIHD9N60E-GE3CT
SIHD9N60E-GE3TR-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPD60R400CEAUMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
14883
HLUTARNÁMR
IPD60R400CEAUMA1-DG
Einingaverð
0.44
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPD60R360P7ATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
7000
HLUTARNÁMR
IPD60R360P7ATMA1-DG
Einingaverð
0.54
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
PMZB600UNELYL
MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
SISA24DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
SI3805DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP
