Framleiðandi Vöru númer:
IPD60R360P7ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD60R360P7ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
7000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12800936
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD60R360P7ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ P7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 140µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
555 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
41W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD60R
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
2156-IPD60R360P7ATMA1
SP001606048
IPD60R360P7ATMA1CT
IPD60R360P7ATMA1DKR
IPD60R360P7ATMA1TR
IFEINFIPD60R360P7ATMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD025N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPB055N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
IPB65R125C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
