Framleiðandi Vöru númer:
SIHB11N80AE-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHB11N80AE-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
996 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12945158
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHB11N80AE-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
804 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
78W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
SIHB11
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
742-SIHB11N80AE-GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIR826LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
SQ2318BES-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
SIDR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
