Framleiðandi Vöru númer:
SIR882BDP-T1-RE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIR882BDP-T1-RE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 16.5A (Ta), 67.5A (Tc) 5W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
5697 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12945162
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIR882BDP-T1-RE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
16.5A (Ta), 67.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3762 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5W (Ta), 83.3W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIR882
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
742-SIR882BDP-T1-RE3DKR
742-SIR882BDP-T1-RE3CT
742-SIR882BDP-T1-RE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDC637ANNB5E023A
MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
SISS52DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
SIHB17N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
