Framleiðandi Vöru númer:
SIE808DF-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIE808DF-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Birgðir:
12918410
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIE808DF-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Last Time Buy
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
8800 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
10-PolarPAK® (L)
Pakki / hulstur
10-PolarPAK® (L)
Grunnvörunúmer
SIE808
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIE808DF-T1-E3TR
742-SIE808DF-T1-E3CT
742-SIE808DF-T1-E3TR
SIE808DF-T1-E3DKR-DG
SIE808DF-T1-E3TR-DG
SIE808DF-T1-E3CT
SIE808DF-T1-E3CT-DG
742-SIE808DF-T1-E3DKR
SIE808DF-T1-E3DKR
SIE808DFT1E3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SUP45P03-09-GE3
MOSFET P-CH 30V 45A TO220AB
SI4058DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
NTB90N02T4
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
