Framleiðandi Vöru númer:
SI4058DY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4058DY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
12918412
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4058DY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
690 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5.6W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4058
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4058DY-T1-GE3DKR
SI4058DY-T1-GE3TR
SI4058DY-T1-GE3-DG
SI4058DY-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
RS3L045GNGZETB
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
1173
HLUTARNÁMR
RS3L045GNGZETB-DG
Einingaverð
0.25
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
RS1G300GNTB
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
16767
HLUTARNÁMR
RS1G300GNTB-DG
Einingaverð
0.82
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
NTB90N02T4
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
SI7322ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK
SI5441BDC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
