SIA483DJ-T1-GE3

Framleiðandi Vöru númer:

SIA483DJ-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIA483DJ-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6

Mikilvægar upplýsingar:

P-Channel 30 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Birgðir:

88414 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12961148

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SIA483DJ-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

TrenchFET®

Staða vöru

Active

FET gerð

P-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

30 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

12A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

45 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

1550 pF @ 15 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

PowerPAK® SC-70-6

Pakki / hulstur

PowerPAK® SC-70-6

Grunnvörunúmer

SIA483

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

SIA483DJ-T1-GE3-DG

Gagnaplakks

SIA483DJ-T1-GE3

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

SIA483DJ-T1-GE3TR

SIA483DJT1GE3

SIA483DJ-T1-GE3CT

SIA483DJ-T1-GE3DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

Vendor Undefined

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

IRFSL11N50APBF

MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3

vishay-siliconix

SIRA00DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIA485DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70

vishay-siliconix

SUD25N15-52-E3

MOSFET N-CH 150V 25A TO252