SIA472EDJ-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIA472EDJ-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIA472EDJ-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single

Birgðir:

12914893
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIA472EDJ-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 10.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1265 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
19.2W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SC-70-6 Single
Pakki / hulstur
PowerPAK® SC-70-6
Grunnvörunúmer
SIA472

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

IRFR9014TRL

MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

vishay-siliconix

IRFIBC30G

MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3

vishay-siliconix

SI9435BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO

nexperia

PMPB20XNEAZ

MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6