Framleiðandi Vöru númer:
SI9435BDY-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI9435BDY-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30 V 4.1A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
13307 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12914907
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI9435BDY-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.3W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI9435
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI9435BDY-T1-E3DKR
SI9435BDYT1E3
Q6936817FI
SI9435BDY-T1-E3CT
SI9435BDY-T1-E3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
PMPB20XNEAZ
MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6
IRFD9020
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
SI1046X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89-3
