Framleiðandi Vöru númer:
SIA425EDJ-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIA425EDJ-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 4.5A (Tc) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Birgðir:
12919938
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIA425EDJ-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Vgs (hámark)
±12V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SC-70-6
Pakki / hulstur
PowerPAK® SC-70-6
Grunnvörunúmer
SIA425
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIA425EDJ-T1-GE3TR
SIA425EDJT1GE3
SIA425EDJ-T1-GE3CT
SIA425EDJ-T1-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SIA459EDJ-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
15828
HLUTARNÁMR
SIA459EDJ-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.12
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI7120DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
SIE822DF-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
SI9410BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO
