SIE822DF-T1-E3

Framleiðandi Vöru númer:

SIE822DF-T1-E3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIE822DF-T1-E3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 20 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S)

Birgðir:

RFQ á netinu

12919968

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SIE822DF-T1-E3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

-

Röð

TrenchFET®

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

20 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

50A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 18.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

78 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

4200 pF @ 10 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

10-PolarPAK® (S)

Pakki / hulstur

10-PolarPAK® (S)

Grunnvörunúmer

SIE822

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

SIE822DF-T1-E3-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

SIE822DF-T1-E3TR

SIE822DF-T1-E3DKR

SIE822DFT1E3

SIE822DF-T1-E3CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SI9410BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO

vishay-siliconix

SIHD3N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

vishay-siliconix

SI7445DP-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8

vishay-siliconix

SQS401ENW-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8