Framleiðandi Vöru númer:
SI8805EDB-T2-E1
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI8805EDB-T2-E1-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 8 V 2.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Birgðir:
12912518
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI8805EDB-T2-E1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
8 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
68mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±5V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
500mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
4-Microfoot
Pakki / hulstur
4-XFBGA, CSPBGA
Grunnvörunúmer
SI8805
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI8805EDB-T2-E1-DG
SI8805EDB-T2-E1CT
SI8805EDB-T2-E1TR
SI8805EDB-T2-E1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI8823EDB-T2-E1
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
2971
HLUTARNÁMR
SI8823EDB-T2-E1-DG
Einingaverð
0.08
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4410BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO
IRLI520G
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3
IXFA130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO263