Framleiðandi Vöru númer:
SI8823EDB-T2-E1
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI8823EDB-T2-E1-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4MICRO FOOT
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 2.7A (Tc) 900mW (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Birgðir:
2971 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12913356
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI8823EDB-T2-E1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen III
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
580 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
900mW (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Pakki / hulstur
4-XFBGA
Grunnvörunúmer
SI8823
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI8823EDB-T2-E1TR
SI8823EDB-T2-E1CT
SI8823EDB-T2-E1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRL3103D1STRR
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
SI4100DY-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
SI4412ADY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
