SI7949DP-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SI7949DP-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI7949DP-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 60V 3.2A 1.5W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

Birgðir:

12913634
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SI7949DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 P-Channel (Dual)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.2A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
64mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
40nC @ 10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
-
Kraftur - hámark
1.5W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8 Dual
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8 Dual
Grunnvörunúmer
SI7949

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI7949DPT1GE3
SI7949DP-T1-GE3CT
SI7949DP-T1-GE3DKR
SI7949DP-T1-GE3TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SI4818DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 5.3A/7A 8SOIC

vishay-siliconix

SI8904EDB-T2-E1

MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFOOT

vishay-siliconix

SI7946ADP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 150V 7.7A PPAK SO8

vishay-siliconix

SI1913EDH-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6