Framleiðandi Vöru númer:
SI1913EDH-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI1913EDH-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 20V 880mA 570mW Surface Mount SC-70-6
Birgðir:
12913696
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI1913EDH-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 P-Channel (Dual)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
880mA
Rds á (Max) @ Id, Vgs
490mOhm @ 880mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 100µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
-
Kraftur - hámark
570mW
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Birgir tæki pakki
SC-70-6
Grunnvörunúmer
SI1913
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI1913EDH-T1-E3DKR
SI1913EDH-T1-E3CT
SI1913EDHT1E3
SI1913EDH-T1-E3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
NTJD4152PT1G
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
15411
HLUTARNÁMR
NTJD4152PT1G-DG
Einingaverð
0.10
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FDG6304P
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
6300
HLUTARNÁMR
FDG6304P-DG
Einingaverð
0.15
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI1970DH-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
SI5504DC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
SI6968BEDQ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
