Framleiðandi Vöru númer:
SI7922DN-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI7922DN-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 100V 1.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Birgðir:
1485 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12913590
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI7922DN-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Dual)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.8A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
195mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
8nC @ 10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
-
Kraftur - hámark
1.3W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8 Dual
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8 Dual
Grunnvörunúmer
SI7922
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI7922DN-T1-E3TR
SI7922DN-T1-E3CT
SI7922DNT1E3
SI7922DN-T1-E3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
RF601BM2DTL
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
4845
HLUTARNÁMR
RF601BM2DTL-DG
Einingaverð
0.46
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
QH8K26TR
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
1698
HLUTARNÁMR
QH8K26TR-DG
Einingaverð
0.33
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4946BEY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
SI7949DP-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8
SI4818DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A/7A 8SOIC
