Framleiðandi Vöru númer:
SI7386DP-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI7386DP-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
32706 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12965737
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI7386DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.8W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SI7386
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI7386DP-T1-GE3DKR
SI7386DP-T1-GE3TR
SI7386DP-T1-GE3CT
SI7386DPT1GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
TK6R8A08QM,S4X
UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM
R6070JNZ4C13
600V 70A TO-247, PRESTOMOS WITH
R6507END3TL1
650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
