SI7174DP-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SI7174DP-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI7174DP-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 75 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Birgðir:

4800 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12916961
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SI7174DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
75 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2770 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SI7174

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI7174DP-T1-GE3CT
SI7174DP-T1-GE3TR
SI7174DPT1GE3
SI7174DP-T1-GE3DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SI7407DN-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8

vishay-siliconix

SQJA70EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V 14.7A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR692DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SISS66DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK