Framleiðandi Vöru númer:
SIR692DP-T1-RE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIR692DP-T1-RE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 250 V 24.2A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
3127 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12916971
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIR692DP-T1-RE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
ThunderFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
250 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
24.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
63mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
30 nC @ 7.5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1405 pF @ 125 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
104W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIR692
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIR692DP-T1-RE3CT
SIR692DP-T1-RE3TR
SIR692DP-T1-RE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SISS66DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK
SI1330EDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
SUM120N04-1M7L-GE3
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
