Framleiðandi Vöru númer:
SI7129DN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI7129DN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Birgðir:
12219 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12920447
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI7129DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3345 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Hitastig rekstrar
-50°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SI7129
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI7129DN-T1-GE3DKR
SI7129DN-T1-GE3CT
SI7129DN-T1-GE3-DG
SI7129DN-T1-GE3TR
SI7129DNT1GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHA6N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220
SIE810DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
SUM90N08-7M6P-E3
MOSFET N-CH 75V 90A TO263
