Framleiðandi Vöru númer:
SI7119DN-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI7119DN-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 200 V 3.8A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Birgðir:
1007 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12914864
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI7119DN-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
666 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Hitastig rekstrar
-50°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SI7119
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI7119DN-T1-E3CT
SI7119DNT1E3
SI7119DN-T1-E3TR
SI7119DN-T1-E3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI7119DN-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
32865
HLUTARNÁMR
SI7119DN-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.33
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI8499DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
SIDR668DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
SI1073X-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
