Framleiðandi Vöru númer:
SI8499DB-T2-E1
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI8499DB-T2-E1-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 16A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Birgðir:
5505 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12914866
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI8499DB-T2-E1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
30 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1300 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Pakki / hulstur
6-UFBGA
Grunnvörunúmer
SI8499
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI8499DB-T2-E1DKR
SI8499DBT2E1
SI8499DB-T2-E1CT
SI8499DB-T2-E1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIDR668DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
SI1073X-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
SI7322DN-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
