Framleiðandi Vöru númer:
SI5511DC-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI5511DC-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.6A 1206-8
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 30V 4A, 3.6A 3.1W, 2.6W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Birgðir:
12913085
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI5511DC-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
N and P-Channel
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4A, 3.6A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
7.1nC @ 5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
435pF @ 15V
Kraftur - hámark
3.1W, 2.6W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
8-SMD, Flat Lead
Birgir tæki pakki
1206-8 ChipFET™
Grunnvörunúmer
SI5511
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI5511DC-T1-E3TR
SI5511DC-T1-E3CT
SI5511DCT1E3
SI5511DC-T1-E3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI6981DQ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
SI5920DC-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
SI5515DC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A/3A 1206-8