Framleiðandi Vöru númer:
SI5920DC-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI5920DC-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 8V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Birgðir:
12913104
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI5920DC-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Dual)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
8V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12nC @ 5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
680pF @ 4V
Kraftur - hámark
3.12W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
8-SMD, Flat Lead
Birgir tæki pakki
1206-8 ChipFET™
Grunnvörunúmer
SI5920
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI5920DCT1GE3
SI5920DC-T1-GE3DKR
SI5920DC-T1-GE3CT
SI5920DC-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI5515DC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A/3A 1206-8
SI6954ADQ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
SIA517DJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
