SI5482DU-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SI5482DU-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI5482DU-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single

Birgðir:

12914359
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SI5482DU-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1610 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® ChipFET™ Single
Pakki / hulstur
PowerPAK® ChipFET™ Single
Grunnvörunúmer
SI5482

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
SI5418DU-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
1882
HLUTARNÁMR
SI5418DU-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.45
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SI8806DB-T2-E1

MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT

vishay-siliconix

SI4108DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC

vishay-siliconix

IRFR9210TRR

MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK

vishay-siliconix

SI4636DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 17A 8SO