Framleiðandi Vöru númer:
SI8806DB-T2-E1
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI8806DB-T2-E1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 12 V 2.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Birgðir:
1200 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12914364
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI8806DB-T2-E1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
12 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
17 nC @ 8 V
Vgs (hámark)
±8V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
500mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
4-Microfoot
Pakki / hulstur
4-XFBGA
Grunnvörunúmer
SI8806
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI8806DB-T2-E1CT
SI8806DB-T2-E1DKR
SI8806DB-T2-E1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
PMCM4401VNEAZ
FRAMLEIÐANDI
Nexperia USA Inc.
Fjöldi í boði
70616
HLUTARNÁMR
PMCM4401VNEAZ-DG
Einingaverð
0.09
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4108DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
IRFR9210TRR
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
SI4636DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
