SI5447DC-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SI5447DC-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI5447DC-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 3.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™

Birgðir:

12917991
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SI5447DC-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
76mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±8V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.3W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
1206-8 ChipFET™
Pakki / hulstur
8-SMD, Flat Lead
Grunnvörunúmer
SI5447

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI5447DCT1GE3
SI5447DC-T1-GE3TR
SI5447DC-T1-GE3DKR
SI5447DC-T1-GE3CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SIS488DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SI7138DP-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI4862DY-T1-E3

MOSFET N-CH 16V 17A 8SO

vishay-siliconix

SI4435FDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC