Framleiðandi Vöru númer:
SI4435FDY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4435FDY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30 V 12.6A (Tc) 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
24208 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12918003
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4435FDY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen III
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1500 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
4.8W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4435
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4435FDY-T1-GE3DKR
SI4435FDY-T1-GE3TR
SI4435FDY-T1-GE3CT
SI4435FDY-T1-GE3-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
BSS84_D87Z
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
SQJA46EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
SI4451DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 10A 8SO
