Framleiðandi Vöru númer:
SI5441DC-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI5441DC-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 3.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Birgðir:
12920654
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI5441DC-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±12V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.3W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
1206-8 ChipFET™
Pakki / hulstur
8-SMD, Flat Lead
Grunnvörunúmer
SI5441
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI5457DC-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
28298
HLUTARNÁMR
SI5457DC-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.15
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQR97N06-6M3L_GE3
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
SQM120N04-1M7_GE3
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
SUM25P10-138-E3
MOSFET N-CH 100V 16.7A TO263
