Framleiðandi Vöru númer:
SI5457DC-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI5457DC-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 6A (Tc) 5.7W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Birgðir:
28298 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12915144
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI5457DC-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 4.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1000 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5.7W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
1206-8 ChipFET™
Pakki / hulstur
8-SMD, Flat Lead
Grunnvörunúmer
SI5457
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI5457DC-T1-GE3DKR
SI5457DC-T1-GE3CT
SI5457DC-T1-GE3TR
SI5457DC-T1-GE3-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI7448DP-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
IXFK32N80Q3
MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA
SI4470EY-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 9A 8SO