Framleiðandi Vöru númer:
SI4914BDY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4914BDY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A/8A 8SOIC
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 30V 8.4A, 8A 2.7W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
12915777
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4914BDY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
LITTLE FOOT®
Staða vöru
Obsolete
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Half Bridge)
FET eiginleiki
-
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8.4A, 8A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
10.5nC @ 4.5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
-
Kraftur - hámark
2.7W, 3.1W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Grunnvörunúmer
SI4914
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4914BDY-T1-GE3CT
SI4914BDY-T1-GE3DKR
SI4914BDYT1GE3
SI4914BDY-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI4816BDY-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
SI4816BDY-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.63
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
SH8K4TB1
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
2436
HLUTARNÁMR
SH8K4TB1-DG
Einingaverð
0.73
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQJ202EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
SI5903DC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
SI4916DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC
