Framleiðandi Vöru númer:
SI4816BDY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4816BDY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
12913520
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4816BDY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
LITTLE FOOT®
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Half Bridge)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.8A, 8.2A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
10nC @ 5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
-
Kraftur - hámark
1W, 1.25W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Grunnvörunúmer
SI4816
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4816BDYT1GE3
SI4816BDY-T1-GE3CT
SI4816BDY-T1-GE3TR
SI4816BDY-T1-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI7960DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
SI4539ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC
SI5513CDC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
