SI7960DP-T1-E3
Framleiðandi Vöru númer:

SI7960DP-T1-E3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI7960DP-T1-E3-DG

Lýsing:

MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 60V 6.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

Birgðir:

12913526
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SI7960DP-T1-E3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Dual)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6.2A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
75nC @ 10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
-
Kraftur - hámark
1.4W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8 Dual
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8 Dual
Grunnvörunúmer
SI7960

Gagnaablað & Skjöl

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI7960DP-T1-E3CT
SI7960DP-T1-E3TR
SI7960DP-T1-E3DKR
SI7960DPT1E3

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
SI7252DP-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
SI7252DP-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.83
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SI4539ADY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC

vishay-siliconix

SI5513CDC-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8

vishay-siliconix

SI7216DN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212

vishay-siliconix

SI4288DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SOIC