Framleiðandi Vöru númer:
SI4900DY-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4900DY-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
11172 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12919560
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4900DY-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Dual)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.3A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
58mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
20nC @ 10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
665pF @ 15V
Kraftur - hámark
3.1W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Grunnvörunúmer
SI4900
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4900DY-T1-E3TR
SI4900DY-T1-E3CT
SI4900DYT1E3
SI4900DY-T1-E3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4330DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8SOIC
SI7223DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK 1212
SI4972DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
