Framleiðandi Vöru númer:
SI4972DY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4972DY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 30V 10.8A, 7.2A 3.1W, 2.5W Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
12919596
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4972DY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Dual)
FET eiginleiki
-
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10.8A, 7.2A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
28nC @ 10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1080pF @ 15V
Kraftur - hámark
3.1W, 2.5W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Grunnvörunúmer
SI4972
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI3850ADV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP
SI3905DV-T1-E3
MOSFET 2P-CH 8V 6TSOP
SI5902DC-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8