Framleiðandi Vöru númer:
SI4896DY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4896DY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 6.7A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
2500 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12915957
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4896DY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
16.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA (Min)
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.56W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4896
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4896DY-T1-GE3DKR
SI4896DY-T1-GE3TR
SI4896DY-T1-GE3CT
SI4896DYT1GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI7463DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
SUM90330E-GE3
MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
SIA446DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
