Framleiðandi Vöru númer:
SUM90330E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SUM90330E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 35.1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
690 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12915965
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SUM90330E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
ThunderFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
35.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1172 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
SUM90330
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Önnur nöfn
SUM90330E-GE3TR
SUM90330E-GE3CT
SUM90330E-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
RCJ700N20TL
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
4
HLUTARNÁMR
RCJ700N20TL-DG
Einingaverð
2.35
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIA446DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
SI4831DY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC
SUD50N04-09H-E3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
