Framleiðandi Vöru númer:
SI4894BDY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4894BDY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 8.9A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
2500 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12914023
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4894BDY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1580 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.4W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4894
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4894BDY-T1-GE3TR
742-SI4894BDY-T1-GE3DKR
SI4894BDY-T1-GE3TR-DG
742-SI4894BDY-T1-GE3CT
SI4894BDY-T1-GE3DKR
SI4894BDYT1GE3
SI4894BDY-T1-GE3CT-DG
742-SI4894BDY-T1-GE3TR
SI4894BDY-T1-GE3DKR-DG
SI4894BDY-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4858DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
CPH6341-M-TL-E
MOSFET P-CH 30V 5A CPH6
SI4116DY-T1-E3
MOSFET N-CH 25V 18A 8SO