SI4116DY-T1-E3

Framleiðandi Vöru númer:

SI4116DY-T1-E3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI4116DY-T1-E3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 25V 18A 8SO

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 25 V 18A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Birgðir:

RFQ á netinu

12914035

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SI4116DY-T1-E3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

TrenchFET®

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

25 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

18A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

56 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±12V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

1925 pF @ 15 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

2.5W (Ta), 5W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

8-SOIC

Pakki / hulstur

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Grunnvörunúmer

SI4116

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

SI4116DY-T1-E3-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

2,500

Önnur nöfn

SI4116DY-T1-E3DKR

SI4116DY-T1-E3-DG

SI4116DY-T1-E3TR

SI4116DY-T1-E3CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SI4860DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

vishay-siliconix

IRFS11N50ATRL

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

littelfuse

IXTP3N60P

MOSFET N-CH 600V 3A TO220AB

vishay-siliconix

IRFR024TRPBF

MOSFET N-CH 60V 14A DPAK