Framleiðandi Vöru númer:
SI4876DY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4876DY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 14A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
12965815
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4876DY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
14A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 21A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±12V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.6W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4876
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI4186DY-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
4214
HLUTARNÁMR
SI4186DY-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.40
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQJ431AEP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
SI3443CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
SIHF640S-GE3
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
