Framleiðandi Vöru númer:
SIHF640S-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHF640S-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
990 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12965836
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHF640S-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
SIHF640
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SIHF640S-GE3-DG
742-SIHF640S-GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRF640SPBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
309
HLUTARNÁMR
IRF640SPBF-DG
Einingaverð
0.84
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
UJ4C075044K3S
750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
UJ4C075044K4S
750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
UJ4SC075011K4S
750V/11MOHM, SIC, STACKED CASCOD