Framleiðandi Vöru númer:
SI4866DY-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4866DY-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 12 V 11A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
5839 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12913595
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4866DY-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
12 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±8V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.6W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4866
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4866DY-T1-E3TR
SI4866DYT1E3
SI4866DY-T1-E3DKR
SI4866DY-T1-E3CT
SI4866DY-T1-E3-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI7802DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK
SIA426DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
IRFU214PBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA
