Framleiðandi Vöru númer:
SI7802DN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI7802DN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 250 V 1.24A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Birgðir:
12913597
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI7802DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
250 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.24A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
435mOhm @ 1.95A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.5W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SI7802
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI7802DN-T1-GE3CT
SI7802DN-T1-GE3DKR
SI7802DN-T1-GE3TR
SI7802DNT1GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
AON7458
FRAMLEIÐANDI
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
AON7458-DG
Einingaverð
0.18
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
BSZ42DN25NS3GATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
23202
HLUTARNÁMR
BSZ42DN25NS3GATMA1-DG
Einingaverð
0.50
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
SI7818DN-T1-E3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
1154
HLUTARNÁMR
SI7818DN-T1-E3-DG
Einingaverð
0.56
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIA426DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
IRFU214PBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA
IRFR9110TRRPBF
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
