Framleiðandi Vöru númer:
SI4829DY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4829DY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 20V 2A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 2A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
12919089
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4829DY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
LITTLE FOOT®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
215mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
210 pF @ 10 V
FET eiginleiki
Schottky Diode (Isolated)
Afl leiðni (hámark)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4829
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4829DY-T1-GE3CT
SI4829DYT1GE3
SI4829DY-T1-GE3TR
SI4829DY-T1-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHU3N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 3A TO251AA
SIHD6N65ET4-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
SI5402BDC-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
