Framleiðandi Vöru númer:
SIHU3N50D-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHU3N50D-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 3A TO251AA
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-251AA
Birgðir:
12919090
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHU3N50D-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
175 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
69W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-251AA
Pakki / hulstur
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grunnvörunúmer
SIHU3
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIHU3N50D-E3CT
SIHU3N50D-E3CT-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHD6N65ET4-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
SI5402BDC-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
SI4838DY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
