Framleiðandi Vöru númer:
SI4660DY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI4660DY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 25V 23.1A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 25 V 23.1A (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
12914540
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI4660DY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
25 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
23.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2410 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
SI4660
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI4660DY-T1-GE3CT
SI4660DY-T1-GE3TR
SI4660DYT1GE3
SI4660DY-T1-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRL530STRRPBF
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
SI7892BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
SI7107DN-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 9.8A PPAK1212-8
